DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 292 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2693
- Producentens varenummer:
- 2N7002EQ-7-F
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.185,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.482,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | Kr. 0,395 | Kr. 1.185,00 |
| 9000 - 21000 | Kr. 0,327 | Kr. 981,00 |
| 24000 - 42000 | Kr. 0,318 | Kr. 954,00 |
| 45000 + | Kr. 0,27 | Kr. 810,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2693
- Producentens varenummer:
- 2N7002EQ-7-F
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 292mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.7W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 292mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie 2N7002 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.7W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP.
Lav aktiv modstand
Lav gate-tærskelspænding
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 292 mA 60 V SOT-23, 2N7002 2N7002EQ-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 115 mA 60 V SOT-23 2N7002-7-F
- onsemi N-Kanal 115 mA 60 V SOT-23 2N7002
- Microchip N-Kanal 115 mA 60 V SOT-23, 2N7002 2N7002-G
- DiodesZetex N-Kanal 261 mA 60 V SOT-363, 2N7002 2N7002DWK-7
- DiodesZetex N-Kanal 170 mA 100 V SOT-23 BSS123-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 500 mA 60 V SOT-23 MMBF170-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 250 mA 60 V SOT-23 BS870-7-F
