Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 1.579,40

(ekskl. moms)

Kr. 1.974,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.075 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 63,176Kr. 1.579,40
50 - 100Kr. 60,016Kr. 1.500,40
125 +Kr. 57,491Kr. 1.437,28

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4611
Producentens varenummer:
AUIRFP4568
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

171A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

517W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

151nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

20.7 mm

Længde

15.87mm

Højde

5.31mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand

Logikniveau gatedrev

Relaterede links