Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4611
- Producentens varenummer:
- AUIRFP4568
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 2.277,65
(ekskl. moms)
Kr. 2.847,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.075 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 91,106 | Kr. 2.277,65 |
| 50 - 100 | Kr. 86,55 | Kr. 2.163,75 |
| 125 + | Kr. 82,905 | Kr. 2.072,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4611
- Producentens varenummer:
- AUIRFP4568
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 171A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 151nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 517W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.31mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 171A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 151nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 517W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.31mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planar-teknologi
Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand
Logikniveau gatedrev
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 171 A 150 V Forbedring TO-247, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 171 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 171 A 150 V Forbedring TO-247AC, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 78 A 150 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon 316 A 150 V HEXFET
- Infineon 186 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 171 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET