Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 1.579,40

(ekskl. moms)

Kr. 1.974,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.075 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 63,176Kr. 1.579,40
50 - 100Kr. 60,016Kr. 1.500,40
125 +Kr. 57,491Kr. 1.437,28

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4611
Producentens varenummer:
AUIRFP4568
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

171A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

151nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

517W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

20.7 mm

Længde

15.87mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

5.31mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand

Logikniveau gatedrev

Relaterede links