Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 78,47

(ekskl. moms)

Kr. 98,09

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.075 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 78,47
5 - 9Kr. 74,50
10 - 24Kr. 71,28
25 - 49Kr. 68,22
50 +Kr. 63,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4612
Producentens varenummer:
AUIRFP4568
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

171A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-247

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

151nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

517W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

20.7 mm

Længde

15.87mm

Højde

5.31mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand

Logikniveau gatedrev

Relaterede links

Recently viewed