Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101 AUIRFP4568

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 79,51

(ekskl. moms)

Kr. 99,39

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.080 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 79,51
5 - 9Kr. 75,47
10 - 24Kr. 72,26
25 - 49Kr. 69,19
50 +Kr. 64,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4612
Producentens varenummer:
AUIRFP4568
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

171A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

517W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

151nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

20.7 mm

Længde

15.87mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

5.31mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand pr. silicium-område. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Dobbelt N-kanal MOSFET lav modstand

Logikniveau gatedrev

Relaterede links