Infineon N-Kanal, MOSFET, 131 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5

RS-varenummer:: 222-4617
Producentens varenummer:: BSC037N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 131 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 32.090,00

(ekskl. moms)

Kr. 40.110,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 6,418	Kr. 32.090,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 222-4617
Producentens varenummer:: BSC037N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	131A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Serie	OptiMOS-TM5
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	3.7mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	46nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	114W
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	+175°C
	Længde	5.35mm
	Højde	1.2mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 131A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Serie OptiMOS-TM5
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 3.7mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 114W
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. +175°C
	Længde 5.35mm
	Højde 1.2mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC037N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS-TM5 seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 131 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC037N08NS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret strømkonvertering og koblingsopgaver. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og kan imødekomme krævende termiske forhold, samtidig med at den giver lavt spændingsfald og hurtig gate-drevet omskiftning, der er velegnet til industrielle miljøer og strømforsyningsmiljøer.

Egenskaber og fordele:

• 80 V drain-klassificering, der muliggør robust højspændingsswitching
• 131 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af kraftig strøm
• 3.7 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 114 W effekttab giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• 46 nC typisk gate-ladning, der understøtter hurtig omskiftningskontrol
• 20 V gate-tolerance, der giver mulighed for fleksible driftsspændinger

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj effekt i strømforsyninger
• Ideel til synkron ensretning i serverstrømskinner
• Anvendes til motordrevstrin, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Kan bruges til telekommunikationsstrømfordeling og UPS-enheder
• Velegnet til kompakte overflademonterede strømmoduler i industrielle systemer

Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden tolerere under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +175 °C.

Hvor mange elektriske forbindelser giver pakken til printkortlayout?

Pakken udsætter otte ben til routing og termisk forbindelse.

Hvilken emballage- og monteringsformfaktor skal designere forvente?

Den leveres i en TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Hvad er den fremadgående spænding under ledning under typiske forhold?

Den fremadrettede spænding er specificeret til 1,1 V under ledningsforhold.

Hvilken kanaltype og -tilstand bestemmer skiftepolaritet og adfærd?

Den bruger en N-kanalsstruktur i forstærkertilstand til konventionel high-side- eller low-side-switching.