Infineon N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 136,81

(ekskl. moms)

Kr. 171,01

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.590 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 13,681Kr. 136,81
50 - 90Kr. 13,00Kr. 130,00
100 - 240Kr. 12,462Kr. 124,62
250 - 490Kr. 11,893Kr. 118,93
500 +Kr. 11,07Kr. 110,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4622
Producentens varenummer:
BSC098N10NS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.2mm

Længde

5.35mm

Bredde

6.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS-TM5 seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 60 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC098N10NS5ATMA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende temperaturområder. Den understøtter høje kontinuerlige strømme og er beregnet til anvendelser, der kræver effektiv ledning og hurtig omskiftning inden for ekstreme industrielle temperaturer.

Egenskaber og fordele:


• 100 V-klassificering giver højspændingskontaktkapacitet
• 60 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftige belastninger
• 9.8 mΩ lav RDS reducerer ledningstab
• 69 W effekttab understøtter betydelig termisk belastning
• 22 nC typisk gate-ladning muliggør reaktiv omskiftning
• 20 V gate-tolerance giver robuste gate-drevmargener

Anvendelser


• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertertrin
• Ideel til strømtrin for motordrev i effektelektronik
• Anvendes sammen med synkrone buck-regulatorer for effektivitet
• Kan bruges til omskiftning med høj strømstyrke i serverstrømskinner
• Velegnet til batteristyring og strømfordelingsmoduler

Hvilken pakke anvendes, og hvordan påvirker det kortmontering?


Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke til overflademontering, der forenkler automatiseret pick-and-place og lodning til kompakte kortlayouter.

Hvilke termiske ekstremer kan den fungere i?


Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C til omgivende eller samledriftsscenarier.

Hvordan påvirker kanalkonfigurationen styringen?


Forbedringskanalen af N-typen kræver en positiv gate-til-kilde-spænding til at føre, hvilket giver mulighed for nemt gate-drive-design til switching-anvendelser.

Hvad er den maksimale gate-spænding, der skal anvendes?


Port-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå at kompromittere portisolering og enhedens integritet.

Hvordan understøtter pakkestørrelsen tætte design?


Dens kompakte bundareal på 5,35 x 6,1 x 1,2 mm hjælper med layouter med høj tæthed, samtidig med at den opretholder strømhåndteringsfunktioner.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.