Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5
- RS-varenummer:
- 222-4622
- Producentens varenummer:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 57,00
(ekskl. moms)
Kr. 71,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 9.610 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,70 | Kr. 57,00 |
| 50 - 90 | Kr. 5,416 | Kr. 54,16 |
| 100 - 240 | Kr. 5,191 | Kr. 51,91 |
| 250 - 490 | Kr. 4,952 | Kr. 49,52 |
| 500 + | Kr. 4,615 | Kr. 46,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4622
- Producentens varenummer:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon Type N-Kanal 74 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon Type N-Kanal 131 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon Type N-Kanal 275 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5
- Infineon Type N-Kanal 66 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8-60, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 23 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 46 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS 5