Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5 Nej BSC098N10NS5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 67,39

(ekskl. moms)

Kr. 84,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 6,739Kr. 67,39
50 - 90Kr. 6,403Kr. 64,03
100 - 240Kr. 6,134Kr. 61,34
250 - 490Kr. 5,864Kr. 58,64
500 +Kr. 5,46Kr. 54,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4622
Producentens varenummer:
BSC098N10NS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

69W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.35mm

Bredde

6.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.2mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS

Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23

Relaterede links