Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4690
- Producentens varenummer:
- IPP020N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 1.531,15
(ekskl. moms)
Kr. 1.913,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 30,623 | Kr. 1.531,15 |
| 100 - 200 | Kr. 29,091 | Kr. 1.454,55 |
| 250 + | Kr. 27,254 | Kr. 1.362,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4690
- Producentens varenummer:
- IPP020N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 15.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 15.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 14 A 900 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 41 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS