Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 41 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 219-6007
- Producentens varenummer:
- IPP65R225C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 109,51
(ekskl. moms)
Kr. 136,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 500 enhed(er) afsendes fra 06. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 21,902 | Kr. 109,51 |
| 25 - 45 | Kr. 19,732 | Kr. 98,66 |
| 50 - 120 | Kr. 18,40 | Kr. 92,00 |
| 125 - 245 | Kr. 17,084 | Kr. 85,42 |
| 250 + | Kr. 15,992 | Kr. 79,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-6007
- Producentens varenummer:
- IPP65R225C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 41A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 225mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 41A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 225mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS C7 superjunction MOSFET serien er et revolutionerende skridt fremad inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/hus og, takket være de lave koblingstab, effektivitetsforbedringer i hele belastningsområdet.
Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS- og solcellesystemer
Laveste ledningstab/pakke
Lave koblingstab
Bedre effektivitet ved let belastning
Øger effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 41 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 6.5 A 700 V Forbedring TO-220, 700V CoolMOS P7