Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4697
- Producentens varenummer:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.867,60
(ekskl. moms)
Kr. 2.334,50
(inkl. moms)
Tilføj 50 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 37,352 | Kr. 1.867,60 |
| 100 - 200 | Kr. 34,365 | Kr. 1.718,25 |
| 250 + | Kr. 32,496 | Kr. 1.624,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4697
- Producentens varenummer:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 15.95 mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 15.95 mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 19 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS