Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4698
- Producentens varenummer:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 80,48
(ekskl. moms)
Kr. 100,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 348 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 40,24 | Kr. 80,48 |
| 10 - 18 | Kr. 35,005 | Kr. 70,01 |
| 20 - 48 | Kr. 33,025 | Kr. 66,05 |
| 50 - 98 | Kr. 30,595 | Kr. 61,19 |
| 100 + | Kr. 28,235 | Kr. 56,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4698
- Producentens varenummer:
- IPP60R070CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS