Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS Nej IPP60R120C7XKSA1
- RS-varenummer:
- 222-4702
- Producentens varenummer:
- IPP60R120C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 58,19
(ekskl. moms)
Kr. 72,738
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 966 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 29,095 | Kr. 58,19 |
| 10 - 18 | Kr. 26,215 | Kr. 52,43 |
| 20 - 48 | Kr. 24,42 | Kr. 48,84 |
| 50 - 98 | Kr. 22,665 | Kr. 45,33 |
| 100 + | Kr. 21,28 | Kr. 42,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4702
- Producentens varenummer:
- IPP60R120C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 120mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 92W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 15.95 mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 120mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 92W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 15.95 mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 19 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R120C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 22 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R099C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 31 3 ben CoolMOS™ IPP65R110CFDAAKSA1
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R145CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R070CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 37 3 ben CoolMOS™ C6 IPP60R099C6XKSA1
- Infineon N-Kanal 18 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ IPB60R040CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 37 3 ben CoolMOS™ IPA60R099P6XKSA1
