Infineon N-Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4699
- Producentens varenummer:
- IPP60R099C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 1.695,40
(ekskl. moms)
Kr. 2.119,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 33,908 | Kr. 1.695,40 |
| 100 - 200 | Kr. 32,213 | Kr. 1.610,65 |
| 250 + | Kr. 30,177 | Kr. 1.508,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4699
- Producentens varenummer:
- IPP60R099C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 15.95mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 15.95mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 19 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 7.3 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS CP