Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- RS-varenummer:
- 222-4877
- Producentens varenummer:
- IPA60R160P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 538,55
(ekskl. moms)
Kr. 673,20
(inkl. moms)
Tilføj 50 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 10,771 | Kr. 538,55 |
| 100 - 200 | Kr. 9,694 | Kr. 484,70 |
| 250 + | Kr. 9,156 | Kr. 457,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4877
- Producentens varenummer:
- IPA60R160P7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPA60R | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 160mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPA60R | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 160mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste i klassen RonxA og den naturlige lave gate Charge (QG) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.
ESD-robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)
Integreret gate-modstand RG
Diode med robust hus
Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering
Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 20 A 1200 V Forbedring TO-220, IPA60R
- Infineon Type N-Kanal 31 A 1200 V Forbedring TO-220, IPA60R
- Infineon Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-220, IPA60R
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, IPA60R
- Infineon Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring TO-263, IPA60R
- Infineon Type N-Kanal 185 A 1200 V Forbedring
- Infineon Type N-Kanal 280 A 1200 V Forbedring
- Infineon Type N-Kanal 13 A 1200 V Forbedring TO-247, IMW1