Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IPB60R Nej
- RS-varenummer:
- 222-4890
- Producentens varenummer:
- IPB60R090CFD7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 12.423,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.529,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 12,423 | Kr. 12.423,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4890
- Producentens varenummer:
- IPB60R090CFD7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IPB60R | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IPB60R | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R090CFD7 i D2PAK-hus er ideelt egnet til resonante topologier i SMPS med høj effekt, f.eks. server-, telekommunikations- og EV-ladestationer, hvor det muliggør betydelige effektivitetsforbedringer. Som efterfølger til CFD2 SJ MOSFET-serien leveres den med reduceret gate-opladning, forbedret sluk-funktion og op til 69 % reduceret reverse recovery-gebyr sammenlignet med konkurrenterne.
Ultra-hurtig husdiode
Klassens bedste omvendte genoprettelsesopladning (Qrr)
Forbedret omvendt diode dv/dt og robusthed ved dif/dt
Laveste FOM RDS(on) x QG og EOSS
Klassens bedste RDS(on)/pakkekombinationer
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 25 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R090CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 38 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R055CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R080P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 25 A 700 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R090CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R360P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 22 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ C7 IPB60R099C7ATMA1
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R280P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 26 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R120P7ATMA1
