Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IPB65R Nej
- RS-varenummer:
- 222-4894
- Producentens varenummer:
- IPB60R180P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 6.980,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.720,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 6,98 | Kr. 6.980,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4894
- Producentens varenummer:
- IPB60R180P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPB65R | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPB65R | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste R onxA i klassen og den naturlige lave gate Charge (Q G) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.
ESD-robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)
Integreret gate-modstand R G
Diode med robust hus
Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering
Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R180P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R360P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 12 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R280P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 26 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R120P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 46 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB65R045C7ATMA2
- Infineon N-Kanal 151 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ P7 IPB60R060P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 57 3 ben CoolMOS™ P7 IPB65R190CFDAATMA1
- Infineon N-Kanal 25 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R090CFD7ATMA1
