Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP60R

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 98,21

(ekskl. moms)

Kr. 122,762

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 946 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 49,105Kr. 98,21
10 - 18Kr. 45,14Kr. 90,28
20 - 48Kr. 42,225Kr. 84,45
50 - 98Kr. 39,27Kr. 78,54
100 +Kr. 36,355Kr. 72,71

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4926
Producentens varenummer:
IPP60R060C7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

IPP60R

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

162W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

68nC

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.45mm

Længde

10.36mm

Bredde

4.57 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.

Reducerede omskiftetabsparametre som f.eks. Q G, C oss, E oss

Klassens bedste figure of merit Q G*R DS(on)

Forøget switching-frekvens

Bedste R (on)*A i verden

Diode med robust hus

Relaterede links