Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP60R
- RS-varenummer:
- 222-4926
- Producentens varenummer:
- IPP60R060C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 125,81
(ekskl. moms)
Kr. 157,262
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 946 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 62,905 | Kr. 125,81 |
| 10 - 18 | Kr. 57,86 | Kr. 115,72 |
| 20 - 48 | Kr. 54,12 | Kr. 108,24 |
| 50 - 98 | Kr. 50,305 | Kr. 100,61 |
| 100 + | Kr. 46,60 | Kr. 93,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4926
- Producentens varenummer:
- IPP60R060C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP60R | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 162W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 9.45mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP60R | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 162W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 9.45mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.
Reducerede omskiftetabsparametre som f.eks. Q G, C oss, E oss
Klassens bedste figure of merit Q G*R DS(on)
Forøget switching-frekvens
Bedste R (on)*A i verden
Diode med robust hus
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 35 A 600 V Forbedring TO-220, IPP60R
- Infineon Type N-Kanal 26 A 600 V Forbedring TO-220, IPP60R
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring TO-220, IPP60R AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 20.7 A 600 V Forbedring TO-220, SPA20N60C3
- Infineon Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220, IPA60R
- Infineon Type N-Kanal 14 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-220, CoolMOS P7