Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP60R Nej IPP60R060C7XKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 105,24

(ekskl. moms)

Kr. 131,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 956 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 52,62Kr. 105,24
10 - 18Kr. 48,395Kr. 96,79
20 - 48Kr. 45,255Kr. 90,51
50 - 98Kr. 42,075Kr. 84,15
100 +Kr. 38,895Kr. 77,79

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4926
Producentens varenummer:
IPP60R060C7XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPP60R

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

68nC

Effektafsættelse maks. Pd

162W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.45mm

Længde

10.36mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.57 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.

Reducerede omskiftetabsparametre som f.eks. Q G, C oss, E oss

Klassens bedste figure of merit Q G*R DS(on)

Forøget switching-frekvens

Bedste R (on)*A i verden

Diode med robust hus

Relaterede links