Infineon N-Kanal, MOSFET, 43 A 80 V, 8 Ben, HSOF, IPT010N08NM5

RS-varenummer:: 225-0581
Producentens varenummer:: IPT010N08NM5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 43 A 80 V, 8 Ben, HSOF, IPT010N08NM5

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 54.934,00

(ekskl. moms)

Kr. 68.668,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 27,467	Kr. 54.934,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 225-0581
Producentens varenummer:: IPT010N08NM5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	43A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	HSOF
	Serie	IPT010N08NM5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.05mΩ
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	178nC
	Effektafsættelse maks. Pd	375W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	10.58mm
	Længde	10.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	2.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype HSOF
	Serie IPT010N08NM5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.05mΩ
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. 20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC
	Effektafsættelse maks. Pd 375W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 10.58mm
	Længde 10.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 2.4mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet-IPT010N08NM5ATMA1

Infineon IPT010N08NM5 seriens MOSFET, 80 V drain source spænding, 43 A kontinuerlig drain strøm - IPT010N08NM5ATMA1

Denne MOSFET er en halvlederomskiftningsenhed, der er designet til anvendelser med høj strømstyrke og høj spænding i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til strømkonvertering, omskiftning og drevkredsløb, der kræver robust drain-source-ydeevne og betydelig strømhåndtering.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding giver reducerede ledningstab ved høje strømme
• Høj drain-source-spænding muliggør drift ved 80 V systemskinner
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm muliggør vedvarende 43 A belastningshåndtering
• Høj effekttab understøtter op til 375 W termisk belastning
• Typisk gate-ladning på 178 nC muliggør forudsigelig koblingsenergi

Anvendelser

• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til halvbrokonfigurationer med motordrev
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver høj strømstyrke
• Kan bruges til synkron ensretning i omformere

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under kredsløbsdesign?

Porten må ikke drives ud over maksimalt 20 V for at undgå overbelastning fra portkilden.

Hvilket temperaturområde kan den modstå i drift?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 175 °C, hvilket muliggør brug under ekstreme temperaturforhold.

Hvor mange ben er tilgængelige til printkortrouting og -tilslutninger?

Der er otte ben til layout og elektrisk tilslutning i overflademonteret bundareal.

Hvilken hustype skal der tages hensyn til ved design af printkortfodaftryk?

Komponenten bruger en HSOF-pakke, der er beregnet til overflademontering og kortmontering.

Hvad er den typiske ledningsmodstand, der skal tages i betragtning ved effektivitetsberegninger?

Forvent en maksimal drain-source-modstand på ca. 1,05 mΩ for tabsestimater.