Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 333 A 80 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT Nej IPT013N08NM5LFATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 44.162,00

(ekskl. moms)

Kr. 55.202,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 22,081Kr. 44.162,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
236-1586
Producentens varenummer:
IPT013N08NM5LFATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

333A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

HSOF-8

Serie

IPT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.3mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

158nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

10.58 mm

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 80 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .

Ideal for hot-swap and e-fuse applications

Meget lav modstand ved tændt R RDS(on)

Wide safe operating area SOA

N-kanal, normalt niveau

100 % avalanche-testet

Pb-free plating, halogen-free

Relaterede links