Infineon N-Kanal, MOSFET, 247 A 80 V, HSOF, IPT
- RS-varenummer:
- 258-3902
- Producentens varenummer:
- IPT019N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (2000 enheder, på en rulle med 2000)*
Kr. 28.064,00
(ekskl. moms)
Kr. 35.080,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 14,032 | Kr. 28.064,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3902
- Producentens varenummer:
- IPT019N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 247A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 247A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype HSOF | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V n-kanals effekt-MOSFET i TO-ledningsfrit hus er velegnet til høje switching-frekvenser. Dette hus er specielt designet til anvendelser med høj strømstyrke som f.eks. gaffeltrucks, lette elektriske køretøjer, POL og telekommunikation. Med en pladsreduktion på 60 % sammenlignet med D2PAK 7-benet hus er TO-ledningsfri den perfekte løsning, hvor den højeste effektivitet, fremragende EMI-adfærd samt den bedste termiske adfærd og pladsreduktion er påkrævet.
Optimeret til synkron ensretning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed