Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 333 A 80 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 43,91

(ekskl. moms)

Kr. 54,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 43,91
10 - 24Kr. 41,66
25 - 49Kr. 39,94
50 - 99Kr. 38,22
100 +Kr. 35,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
236-1587
Producentens varenummer:
IPT013N08NM5LFATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

333A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

HSOF-8

Serie

IPT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.3mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

158nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Længde

10.1mm

Bredde

10.58 mm

Bilindustristandarder

Nej

The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 80 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .

Ideal for hot-swap and e-fuse applications

Meget lav modstand ved tændt R RDS(on)

Wide safe operating area SOA

N-kanal, normalt niveau

100 % avalanche-testet

Pb-free plating, halogen-free

Relaterede links