Infineon N-Kanal, MOSFET, 333 A 80 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT
- RS-varenummer:
- 236-1587
- Producentens varenummer:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 77,27
(ekskl. moms)
Kr. 96,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 77,27 |
| 10 - 24 | Kr. 73,45 |
| 25 - 49 | Kr. 70,39 |
| 50 - 99 | Kr. 67,32 |
| 100 + | Kr. 62,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-1587
- Producentens varenummer:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 333A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 158nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10.58mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 333A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 158nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10.58mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPT seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 333 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPT013N08NM5LFATMA1
Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og leverer en betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og spændingskapacitet til industrielle anvendelser og strømkonverteringsanvendelser.
Egenskaber og fordele:
• 333 A kontinuerlig afløbsstrøm til håndtering af kraftige belastninger
• 80 V mærkeværdi fra drain til kilde til mellemspændingssystemer
• 1.3 mΩ lav Rds(on) for at reducere ledningstab
• 278 W maks. effekttab for termisk hovedrum
• 158 nC typisk gate-ladning for forudsigelig skifteadfærd
• 80 V mærkeværdi fra drain til kilde til mellemspændingssystemer
• 1.3 mΩ lav Rds(on) for at reducere ledningstab
• 278 W maks. effekttab for termisk hovedrum
• 158 nC typisk gate-ladning for forudsigelig skifteadfærd
Anvendelser
• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke
• Ideel til motordrev og trækkraftomformere
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler i servere
• Kan bruges til højeffekts batteristyringssystemer
• Ideel til motordrev og trækkraftomformere
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler i servere
• Kan bruges til højeffekts batteristyringssystemer
Hvilket gate-spændingsområde er tilladt til drift af denne enhed?
Porten kan drives op til 20 V i forhold til kilden uden at overskride den angivne grænse.
Hvilken pakke og monteringstype bruger den til montering?
Den leveres i en HSOF-8-pakke konfigureret til overflademontering på printkortsamlinger.
Hvordan fungerer enheden ved lave temperaturer?
Den er normeret til drift ned til -55 °C, hvilket giver mulighed for brug i installationer med koldt klima.
Hvilke fysiske omslagsmålinger er relevante for printkortplanlægning?
Komponenten måler 10,1 mm x 10,58 mm med en højde på 2,4 mm.
Er denne enhed specificeret til at opfylde standarder i bilkvalitet?
Den er ikke klassificeret som en komponent i bilkvalitet.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 333 A 80 V HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 199 A 80 V IPT
- Infineon N-Kanal 247 A 80 V IPT
- Infineon N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 155 A IPT
- Infineon N-Kanal 454 A 60 V HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT