Infineon N-Kanal, MOSFET, 454 A 60 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT
- RS-varenummer:
- 236-1585
- Producentens varenummer:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 54,30
(ekskl. moms)
Kr. 67,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 54,30 |
| 10 - 24 | Kr. 51,69 |
| 25 - 49 | Kr. 49,44 |
| 50 - 99 | Kr. 47,20 |
| 100 + | Kr. 44,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-1585
- Producentens varenummer:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 454A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.8mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 185nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bredde | 10.58mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 454A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.8mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 185nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.1mm | ||
Bredde 10.58mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPT seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 454 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPT008N06NM5LFATMA1
Denne MOSFET er en højstrøms-switchtransistor, der er designet til overflademonterede strømanvendelser, der giver robust termisk tolerance og betydelig strømkapacitet til krævende kredsløb. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er velegnet til systemer, der kræver lavt ledningstab og betydelig effekthåndtering i en kompakt pakke.
Egenskaber og fordele:
• 60 V maksimal afløbsspænding giver højspændingskontaktkapacitet
• 454 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 0.8 mΩ maks. RDS(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 278 W maks. effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 185 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig koblingskontrol
• ±20 V gate-source-klassificering giver mulighed for brede gate-drevmargener
• 454 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 0.8 mΩ maks. RDS(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 278 W maks. effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 185 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig koblingskontrol
• ±20 V gate-source-klassificering giver mulighed for brede gate-drevmargener
Anvendelser
• Velegnet til stærkt strømførende motordrevstrin
• Kan bruges til DC-DC-konverterudgangskontakter
• Ideel til strømfordeling i serverstrømforsyninger
• Anvendes sammen med batteristyringsmoduler, der håndterer store strømstyrker
• Velegnet til industrielle omskiftertrin for invertere
• Kan bruges til DC-DC-konverterudgangskontakter
• Ideel til strømfordeling i serverstrømforsyninger
• Anvendes sammen med batteristyringsmoduler, der håndterer store strømstyrker
• Velegnet til industrielle omskiftertrin for invertere
Hvilken termisk modstandsdygtighed kan forventes i barske miljøer?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug under brede temperaturforhold.
Hvordan påvirker pakken montering og layout?
HSOF-8-pakken til overflademontering letter kompakt placering af printkort og forbindelser med lav induktans til strømføringsspor.
Hvilke hensyn til gate-driver er nødvendige for omskiftning?
Design gate-drivere til at levere tilstrækkelig opladning til 185 nC porten for at opnå de krævede skiftehastigheder, samtidig med at grænsen for ±20 V port-kilde overholdes.
Hvordan skal designere håndtere effekttab i scenarier med høj belastning?
Sørg for, at printkortkobberområdet og de termiske ledninger er dimensioneret til at håndtere 278 W tab og opretholde forbindelsestemperaturer inden for grænserne.
Hvilken ledningsevne kan forventes under kontinuerlig drift?
Forvent lavt spændingsfald i tændt tilstand på grund af den maksimale 0,8 mΩ drain-source-modstand, hvilket gavner effektiviteten under kontinuerlige forhold med høj strømstyrke.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 454 A 60 V HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 155 A IPT
- Infineon N-Kanal 333 A 80 V HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 294 A 100 V IPT
- Infineon N-Kanal 199 A 80 V IPT
- Infineon N-Kanal 204 A 100 V IPT