Infineon N-Kanal, MOSFET, 454 A 60 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

RS-varenummer:: 236-1584
Producentens varenummer:: IPT008N06NM5LFATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 454 A 60 V, 8 Ben, HSOF-8, IPT

Indhold (2000 enheder, på en rulle med 2000)*

Kr. 48.830,00

(ekskl. moms)

Kr. 61.038,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 04. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 24,415	Kr. 48.830,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 236-1584
Producentens varenummer:: IPT008N06NM5LFATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	454A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	HSOF-8
	Serie	IPT
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.8mΩ
	Effektafsættelse maks. Pd	278W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	185nC
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	10.1mm
	Højde	2.4mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	10.58mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 454A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype HSOF-8
	Serie IPT
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.8mΩ
	Effektafsættelse maks. Pd 278W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 185nC
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 10.1mm
	Højde 2.4mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 10.58mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPT008N06NM5LFATMA1

Infineon IPT seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 454 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPT008N06NM5LFATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms-switchtransistor, der er designet til overflademonterede strømanvendelser, der giver robust termisk tolerance og betydelig strømkapacitet til krævende kredsløb. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er velegnet til systemer, der kræver lavt ledningstab og betydelig effekthåndtering i en kompakt pakke.

Egenskaber og fordele:

• 60 V maksimal afløbsspænding giver højspændingskontaktkapacitet
• 454 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 0.8 mΩ maks. RDS(on) reducerer ledningstab i strømveje
• 278 W maks. effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 185 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig koblingskontrol
• ±20 V gate-source-klassificering giver mulighed for brede gate-drevmargener

Anvendelser

• Velegnet til stærkt strømførende motordrevstrin
• Kan bruges til DC-DC-konverterudgangskontakter
• Ideel til strømfordeling i serverstrømforsyninger
• Anvendes sammen med batteristyringsmoduler, der håndterer store strømstyrker
• Velegnet til industrielle omskiftertrin for invertere

Hvilken termisk modstandsdygtighed kan forventes i barske miljøer?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug under brede temperaturforhold.

Hvordan påvirker pakken montering og layout?

HSOF-8-pakken til overflademontering letter kompakt placering af printkort og forbindelser med lav induktans til strømføringsspor.

Hvilke hensyn til gate-driver er nødvendige for omskiftning?

Design gate-drivere til at levere tilstrækkelig opladning til 185 nC porten for at opnå de krævede skiftehastigheder, samtidig med at grænsen for ±20 V port-kilde overholdes.

Hvordan skal designere håndtere effekttab i scenarier med høj belastning?

Sørg for, at printkortkobberområdet og de termiske ledninger er dimensioneret til at håndtere 278 W tab og opretholde forbindelsestemperaturer inden for grænserne.

Hvilken ledningsevne kan forventes under kontinuerlig drift?

Forvent lavt spændingsfald i tændt tilstand på grund af den maksimale 0,8 mΩ drain-source-modstand, hvilket gavner effektiviteten under kontinuerlige forhold med høj strømstyrke.