Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 43 A 80 V, 8 Ben, HSOF, IPT010N08NM5 Nej IPT010N08NM5ATMA1
- RS-varenummer:
- 225-0582
- Producentens varenummer:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 103,32
(ekskl. moms)
Kr. 129,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 298 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 51,66 | Kr. 103,32 |
| 20 - 48 | Kr. 44,43 | Kr. 88,86 |
| 50 - 98 | Kr. 41,325 | Kr. 82,65 |
| 100 - 198 | Kr. 38,745 | Kr. 77,49 |
| 200 + | Kr. 35,68 | Kr. 71,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0582
- Producentens varenummer:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | IPT010N08NM5 | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.05mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bredde | 10.58 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie IPT010N08NM5 | ||
Emballagetype HSOF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.05mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.1mm | ||
Bredde 10.58 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPT010N08NM5 er en enkelt N-kanal OptiMOS 5 power MOSFET 80 V 1.05mΩ 425 A i EN TOLL-pakke. OptiMOS 5-silikoneteknologi er en ny generation af power MOSFET'er og er specielt designet til synkron ensretning til telekommunikation og serverstrømforsyninger.
Forøget effekttæthed
Lav udgangsspændingsoversving
Mindre parallelisering nødvendig
Højeste systemeffektivitet
Færre skift og ledningstab
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 43 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IPT010N08NM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 165 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT165N08S5N029ATMA2
- Infineon N-Kanal 240 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT240N08S5N019ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT300N08S5N012ATMA2
- Infineon N-Kanal 200 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT200N08S5N023ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 30 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT004N03LATMA1
- Infineon N-Kanal 237 A 120 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT030N12N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 260 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT260N10S5N019ATMA1
