Infineon N-Kanal, MOSFET, 43 A 80 V, 8 Ben, HSOF, IPT010N08NM5
- RS-varenummer:
- 225-0582
- Producentens varenummer:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 119,01
(ekskl. moms)
Kr. 148,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 59,505 | Kr. 119,01 |
| 20 - 48 | Kr. 51,20 | Kr. 102,40 |
| 50 - 98 | Kr. 47,61 | Kr. 95,22 |
| 100 - 198 | Kr. 44,62 | Kr. 89,24 |
| 200 + | Kr. 41,065 | Kr. 82,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0582
- Producentens varenummer:
- IPT010N08NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Serie | IPT010N08NM5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.05mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 10.58mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype HSOF | ||
Serie IPT010N08NM5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.05mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 10.58mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPT010N08NM5 seriens MOSFET, 80 V drain source spænding, 43 A kontinuerlig drain strøm - IPT010N08NM5ATMA1
Denne MOSFET er en halvlederomskiftningsenhed, der er designet til anvendelser med høj strømstyrke og høj spænding i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til strømkonvertering, omskiftning og drevkredsløb, der kræver robust drain-source-ydeevne og betydelig strømhåndtering.
Egenskaber og fordele:
• Lav modstand ved tænding giver reducerede ledningstab ved høje strømme
• Høj drain-source-spænding muliggør drift ved 80 V systemskinner
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm muliggør vedvarende 43 A belastningshåndtering
• Høj effekttab understøtter op til 375 W termisk belastning
• Typisk gate-ladning på 178 nC muliggør forudsigelig koblingsenergi
• Høj drain-source-spænding muliggør drift ved 80 V systemskinner
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm muliggør vedvarende 43 A belastningshåndtering
• Høj effekttab understøtter op til 375 W termisk belastning
• Typisk gate-ladning på 178 nC muliggør forudsigelig koblingsenergi
Anvendelser
• Velegnet til omskiftningstrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til halvbrokonfigurationer med motordrev
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver høj strømstyrke
• Kan bruges til synkron ensretning i omformere
• Ideel til halvbrokonfigurationer med motordrev
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der kræver høj strømstyrke
• Kan bruges til synkron ensretning i omformere
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under kredsløbsdesign?
Porten må ikke drives ud over maksimalt 20 V for at undgå overbelastning fra portkilden.
Hvilket temperaturområde kan den modstå i drift?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 175 °C, hvilket muliggør brug under ekstreme temperaturforhold.
Hvor mange ben er tilgængelige til printkortrouting og -tilslutninger?
Der er otte ben til layout og elektrisk tilslutning i overflademonteret bundareal.
Hvilken hustype skal der tages hensyn til ved design af printkortfodaftryk?
Komponenten bruger en HSOF-pakke, der er beregnet til overflademontering og kortmontering.
Hvad er den typiske ledningsmodstand, der skal tages i betragtning ved effektivitetsberegninger?
Forvent en maksimal drain-source-modstand på ca. 1,05 mΩ for tabsestimater.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 43 A 80 V HSOF, IPT010N08NM5
- Infineon N-Kanal 199 A 80 V IPT
- Infineon N-Kanal 247 A 80 V IPT
- Infineon N-Kanal 333 A 80 V HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 155 A IPT
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V Forbedring HSOF, IAUT AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 165 A 80 V Forbedring HSOF, IAUT AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT