Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 200 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101 IAUT200N08S5N023ATMA1
- RS-varenummer:
- 220-7366
- Producentens varenummer:
- IAUT200N08S5N023ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 37,75
(ekskl. moms)
Kr. 47,188
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 18,875 | Kr. 37,75 |
| 20 - 48 | Kr. 15,82 | Kr. 31,64 |
| 50 - 98 | Kr. 14,885 | Kr. 29,77 |
| 100 - 198 | Kr. 13,765 | Kr. 27,53 |
| 200 + | Kr. 12,83 | Kr. 25,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7366
- Producentens varenummer:
- IAUT200N08S5N023ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PG-HSOF | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PG-HSOF | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon tilbyder en bred vifte af 75 V-100 V N-kanal automotive kvalificerede power MOSFET'er ved brug af den nye OptiMOS teknologi i forskellige pakker et RDS(on) område fra 1,2 m/s/t/op til 190 m/t/t/s ved at reducere CO2-udledningen af personbiler accelererer 48 V board-nettilslutning og derfor 48 V-lignende startgeneratorer (Hovedinverter), batterihovedkontakter, DC-DC-omformer samt 48 V hjælpeudstyr. Infineon tilbyder et bredt udvalg af 80 V og 100 V MOSFET'er til brug i biler til dette nye marked, Der findes i forskellige pakketyper som F.EKS. BETALINGSNUMMER (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) og S308 (TSDSDSON-8) for at kunne levere løsninger til forskellige strømkrav samt forskellige kølebegreber på ECU-niveau. Ud over 48 V-anvendelser bruges 80 V og 100 V MOSFET'er også til f.eks. LED-belysning, brændstofindsprøjtning samt trådløs opladning i bilen.
N-kanal - forbedringstilstand
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Ultra lav Rds(til)
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 200 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT200N08S5N023ATMA1
- Infineon N-Kanal 165 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT165N08S5N029ATMA2
- Infineon N-Kanal 43 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IPT010N08NM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 240 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT240N08S5N019ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT300N08S5N012ATMA2
- Infineon N-Kanal 96 A 200 V HSOF-8, OptiMOS™ 3 IPT111N20NFDATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 30 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT004N03LATMA1
- Infineon N-Kanal 237 A 120 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT030N12N3GATMA1
