Vishay N-Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 228-2964
- Producentens varenummer:
- SQS486CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 228-2964
- Producentens varenummer:
- SQS486CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 790mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 790mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET N-kanal til brug i biler er 40 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 58 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N-Kanal Dobbelt 6 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N-Kanal Dobbelt 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal 47 A 30 V MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101