Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 65,67

(ekskl. moms)

Kr. 82,088

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 552 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 32,835Kr. 65,67
20 - 48Kr. 29,545Kr. 59,09
50 - 98Kr. 27,90Kr. 55,80
100 - 198Kr. 26,215Kr. 52,43
200 +Kr. 24,31Kr. 48,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2987
Producentens varenummer:
SUM90100E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

150A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 200-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links