Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, TrenchFET Nej SUM90100E-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 65,67

(ekskl. moms)

Kr. 82,088

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 618 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 32,835Kr. 65,67
20 - 48Kr. 29,545Kr. 59,09
50 - 98Kr. 27,90Kr. 55,80
100 - 198Kr. 26,215Kr. 52,43
200 +Kr. 24,31Kr. 48,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2987
Producentens varenummer:
SUM90100E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

150A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-263

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 200-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links