Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 150 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2987
- Producentens varenummer:
- SUM90100E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 66,57
(ekskl. moms)
Kr. 83,212
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 552 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 33,285 | Kr. 66,57 |
| 20 - 48 | Kr. 29,995 | Kr. 59,99 |
| 50 - 98 | Kr. 28,31 | Kr. 56,62 |
| 100 - 198 | Kr. 26,63 | Kr. 53,26 |
| 200 + | Kr. 24,685 | Kr. 49,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2987
- Producentens varenummer:
- SUM90100E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 200-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 150 A 200 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 150 A 200 V Forbedring TO-220, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-263, SUM40012EL
- Vishay Type N-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, SUM60020E