Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V, 8 Ben, TDSON, ISC010N04NM6 Nej ISC010N04NM6ATMA1
- RS-varenummer:
- 228-6560
- Producentens varenummer:
- ISC010N04NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 84,59
(ekskl. moms)
Kr. 105,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 9.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 16,918 | Kr. 84,59 |
| 25 - 45 | Kr. 14,886 | Kr. 74,43 |
| 50 - 120 | Kr. 13,868 | Kr. 69,34 |
| 125 - 245 | Kr. 12,866 | Kr. 64,33 |
| 250 + | Kr. 12,012 | Kr. 60,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-6560
- Producentens varenummer:
- ISC010N04NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | ISC010N04NM6 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 83nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.1mm | |
| Bredde | 1.2 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie ISC010N04NM6 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.1mm | ||
Bredde 1.2 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon ISC010N04NM6 er optiMOSTM 6 Power MSOFET 40V normalt niveau. Infineon tilbyder en benchmarkløsning til anvendelser, der kræver normalt niveau, som f.eks. batteridrevne anvendelser, batteridrevne værktøjer, batteristyring og lavspændingsdrev. En højere Vth for porteføljen på normalt niveau betyder, at kun større gate-spændingsspidser vil forårsage uønsket tænd.
N-kanal-forbedringstilstand
Den normale grænse for gate er typisk 2.3 V.
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 C samledetemperatur
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 6 ISC010N04NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 48 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 6 ISC007N04NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 285 A. 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 6 BSC010N04LS6ATMA1
- Infineon N-Kanal 98 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC032N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 81 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC054N04NSGATMA1
- Infineon N-Kanal 134 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC022N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 195 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC014N04LSIATMA1
- Infineon N-Kanal 139 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC022N04LS6ATMA1
