Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1820
- Producentens varenummer:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 10.861,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.576,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 10,861 | Kr. 10.861,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1820
- Producentens varenummer:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon iPB seriens MOSFET, 150 W maksimal effekttab, 40 V maksimal drain source-spænding - IPB180P04P4L02ATMA2
Denne MOSFET er en P-kanal-forstærket effekttransistor, der er designet til højstrømsomskiftning i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsestemperaturområde og opfylder krav til brug i krævende elektriske systemer. Komponenten er pakket til termisk og monteringseffektivitet og tåler gate-drevspændinger, der er velegnede til strømstyringstopologier.
Egenskaber og fordele:
• Lav modstand ved tænding på 2.4 mΩ reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig strømstyrke på 180 A muliggør omskiftning under kraftig belastning
• 40 V drain-source-klassificering passer til systemer med moderat spænding
• 150 W effekttab understøtter vedvarende strømhåndtering
• Gate-tolerancen på 16 V muliggør robuste styringsspændingsmargener
• Temperaturklassificering -55 °C til +175 °C tåler ekstreme miljøer
• Høj kontinuerlig strømstyrke på 180 A muliggør omskiftning under kraftig belastning
• 40 V drain-source-klassificering passer til systemer med moderat spænding
• 150 W effekttab understøtter vedvarende strømhåndtering
• Gate-tolerancen på 16 V muliggør robuste styringsspændingsmargener
• Temperaturklassificering -55 °C til +175 °C tåler ekstreme miljøer
Anvendelser
• Velegnet til strømfordelingsenheder i biler
• Ideel til DC-DC-omformere med høj strømstyrke
• Anvendes til omskiftning af motordriver på høj side
• Kan bruges til batteristyring af beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler i køretøjer
• Ideel til DC-DC-omformere med høj strømstyrke
• Anvendes til omskiftning af motordriver på høj side
• Kan bruges til batteristyring af beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler i køretøjer
Hvilken monteringstype kræver den til printmontering?
Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering.
Hvordan fungerer den under kontinuerlig høj strøm?
Den understøtter kontinuerlige afløbsstrømme op til 180 A med et maksimalt effekttab på 150 W.
Hvilket gate-spændingsområde skal overholdes under drift?
Gate-source-spændingen bør ikke overstige 16 V for at forhindre belastning på enheden.
Er den velegnet til brug på tværs af brede ekstreme temperaturer?
Enheden er normeret til drift fra -55 °C op til +175 °C til anvendelser med høje temperaturer.
Hvilken type kanal og ledningstilstand bruger den?
Den anvender en P-type kanal, der fungerer i forstærkning.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 100 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 17 A 800 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
