onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 203 A 100 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6446
- Producentens varenummer:
- NTBGS004N10G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 92,90
(ekskl. moms)
Kr. 116,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 46,45 | Kr. 92,90 |
| 20 - 198 | Kr. 40,02 | Kr. 80,04 |
| 200 + | Kr. 34,745 | Kr. 69,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6446
- Producentens varenummer:
- NTBGS004N10G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 203A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SiC Power | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 203A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SiC Power | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 9.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor Power MOSFET har en robust teknologi, der giver den største pålidelighed. Den er specielt designet til brede SOA-anvendelser fra en 48 V bus.
Hot swap-tolerant med overlegen SOA-kurve
I overensstemmelse med RoHS
Reducerer ledespild
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 203 A 100 V Forbedring TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 62 A 650 V N TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 145 A 650 V N TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 142 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 55 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 98 A 1200 V Forbedring TO-263
- onsemi Type N-Kanal 185 A 150 V Forbedring TO-263, NTB