onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 650 V N, 4 Ben, TO-247, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6462
- Producentens varenummer:
- NTH4L060N090SC1
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 229-6462
- Producentens varenummer:
- NTH4L060N090SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SiC Power | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 84mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 221W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.9V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.2 mm | |
| Længde | 15.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 22.74mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SiC Power | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 84mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 221W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.9V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.2 mm | ||
Længde 15.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 22.74mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SiC Power-serien MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silikone. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning.
Højeste effektivitet
Hurtigere driftsfrekvens
Forøget effekttæthed
Reduceret EMI
Reduceret systemstørrelse
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 55 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 142 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 145 A 650 V N TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 62 A 650 V N TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- IXYS Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V