onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 79 A 120 V P, 8 Ben, SO-8, NTMF Nej NTMFS008N12MCT1G
- RS-varenummer:
- 229-6467
- Producentens varenummer:
- NTMFS008N12MCT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 87,89
(ekskl. moms)
Kr. 109,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,578 | Kr. 87,89 |
| 50 - 95 | Kr. 15,154 | Kr. 75,77 |
| 100 - 495 | Kr. 13,134 | Kr. 65,67 |
| 500 - 995 | Kr. 11,55 | Kr. 57,75 |
| 1000 + | Kr. 10,502 | Kr. 52,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6467
- Producentens varenummer:
- NTMFS008N12MCT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 79A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Serie | NTMF | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 102W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.3mm | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 79A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Serie NTMF | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform P | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 102W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.3mm | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor N-kanal effekt MOSFET flad ledning hus designet til kompakte og effektive design og med høj termisk ydelse. Den bruges til at skifte strømforsyninger, strømkontakter, batteristyring og beskyttelse.
Minimer ledningstab
Minimer tab af fører
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 79 A 120 V P SO-8, NTMF Nej
- onsemi Type P-Kanal 263 A 30 V P SO-8, NTK Nej
- onsemi Type P-Kanal 263 A 30 V P SO-8, NTK Nej NTMFS002P03P8ZT1G
- onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt 79 A 30 V Forbedring SO-8FL NTMFS4936NT1G
- onsemi Type P-Kanal 164 A 30 V Forbedring SO-8FL, NTMFS Nej NTMFS005P03P8ZT1G
- Infineon Type P-Kanal 3.44 A 60 V P SO-8 Nej
- Infineon Type P-Kanal 3.44 A 60 V P SO-8 Nej BSO613SPVGXUMA1
- onsemi Nej 8 Ben
