onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 135 A 150 V N, 8 Ben, DFN Nej NTMTS6D0N15MC
- RS-varenummer:
- 229-6487
- Producentens varenummer:
- NTMTS6D0N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 84,90
(ekskl. moms)
Kr. 106,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.970 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 42,45 | Kr. 84,90 |
| 20 - 198 | Kr. 36,575 | Kr. 73,15 |
| 200 - 998 | Kr. 31,715 | Kr. 63,43 |
| 1000 - 1998 | Kr. 27,865 | Kr. 55,73 |
| 2000 + | Kr. 25,395 | Kr. 50,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6487
- Producentens varenummer:
- NTMTS6D0N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 135A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.4mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 245W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 8.5mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.2 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 135A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.4mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 245W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 8.5mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.2 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor N-kanal MOSFET produceres ved hjælp af Advanced strømdæmpningsproces, der inkorporerer skærmet gate-teknologi. Denne proces er optimeret til at minimere modstand i tændt tilstand og alligevel opretholde en overlegen skifteevne.
Minimer ledningstab
Høj Peak-strøm og lav parasitisk selvinduktion
Giver en bredere designmargen til termisk udfordrede applikationer
Reducerer skiften
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 135 A 150 V DFNW8 NTMTS6D0N15MC
- onsemi N-Kanal 165 A 150 V DFNW8 NVMTS4D3N15MC
- onsemi N-Kanal 175 A 150 V DFNW8 NTMTS4D3N15MC
- onsemi N-Kanal 398 8 ben, DFNW8 NTMTS001N06CLTXG
- onsemi N-Kanal 554 8 ben, DFNW8 NTMTS0D6N04CLTXG
- onsemi N-Kanal 533 A. 40 V DFNW8 NTMTS0D6N04CTXG
- onsemi N-Kanal 273 A 100 V DFNW8, NTMC0 NTMTS1D6N10MCTXG
- onsemi N-Kanal 420 A 40 V DFNW8 AEC-Q101 NVMTS0D7N04CTXG
