onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V N, 5 Ben, DFN, NTM Nej NTMFS6H824NT1G
- RS-varenummer:
- 244-9187
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H824NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 24,38
(ekskl. moms)
Kr. 30,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.464 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,19 | Kr. 24,38 |
| 20 - 198 | Kr. 10,51 | Kr. 21,02 |
| 200 - 998 | Kr. 9,125 | Kr. 18,25 |
| 1000 + | Kr. 8,04 | Kr. 16,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-9187
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H824NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NTM | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NTM | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET drain-to-source-spænding er 60 V, og Gate-to-source-spænding er ± 20 V.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Disse enheder er blyfri og overholder RoHS
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 20 A 60 V, DFN NTMFS6H824NT1G
- onsemi N-Kanal 20 A 60 V, DFN NTMFS5C645NT1G
- onsemi N-Kanal 42 A 60 V DFN NTMFD5C674NLT1G
- onsemi N-Kanal 44 A 60 V DFN NTMFS5H610NLT1G
- onsemi N-Kanal 71 A 60 V DFN NTMFS5C670NLT1G
- onsemi N-Kanal 150 A 60 V DFN NTMFS5C628NLT1G
- onsemi N-Kanal 21 A 60 V DFN NVMFS5C680NLT1G
- onsemi N-Kanal 133 A 60 V DFN NVMFS5C638NLT1G
