onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 5 Ben, DFN-5, NTM AEC-Q101 NTMFS002N10MCLT1G
- RS-varenummer:
- 248-5822
- Producentens varenummer:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 55,50
(ekskl. moms)
Kr. 69,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.860 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 27,75 | Kr. 55,50 |
| 20 - 198 | Kr. 23,935 | Kr. 47,87 |
| 200 - 998 | Kr. 20,72 | Kr. 41,44 |
| 1000 + | Kr. 18,215 | Kr. 36,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 248-5822
- Producentens varenummer:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NTM | |
| Emballagetype | DFN-5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NTM | ||
Emballagetype DFN-5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor MOSFET er en N-kanal MOSFET med 100 V dræn til kildespænding, RDS(ON) 2,8 mohm og kontinuerlig drænstrøm 175 A disse enheder er også blyfri, halogenfri/BFR-fri, berylliumfri og i overensstemmelse med RoHS.
Lille bundareal (5 x 6 mm) for kompakt design
Lav RDS (til) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere tab på drivere
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring DFN-5, NTM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN-5, NTM Nej
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM Nej
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN-5, NTM Nej NTMFS3D2N10MDT1G
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM Nej NTMFS5C645NT1G
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM Nej NTMFS6H824NT1G
- onsemi Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NTM Nej NTMFS4D7N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 310 A 40 V Forbedring DFN-8, NTM Nej NTMFSC0D8N04XMTWG
