onsemi N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V N, 5 Ben, DFN, NTM
- RS-varenummer:
- 244-9186
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H824NT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 9.420,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.775,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 6,28 | Kr. 9.420,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-9186
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H824NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NTM | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NTM | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET drain-to-source-spænding er 60 V, og Gate-to-source-spænding er ± 20 V.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Disse enheder er blyfri og overholder RoHS