onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V N, 5 Ben, DFN, NTM
- RS-varenummer:
- 244-9186
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H824NT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 7.264,50
(ekskl. moms)
Kr. 9.081,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 4,843 | Kr. 7.264,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-9186
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H824NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NTM | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NTM | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET drain-to-source-spænding er 60 V, og Gate-to-source-spænding er ± 20 V.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Disse enheder er blyfri og overholder RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN-5, NTM
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring DFN-5, NTM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 310 A 40 V Forbedring DFN-8, NTM
- onsemi Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NTM
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N WDFN, NTT
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V TO-252, NTD