onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V, 5 Ben, TO-247, NTHL Nej NTHL045N065SC1
- RS-varenummer:
- 241-0744
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 93,35
(ekskl. moms)
Kr. 116,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 349 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 93,35 |
| 10 - 99 | Kr. 80,41 |
| 100 + | Kr. 69,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-0744
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
ON Semiconductor 650 V, 42 mΩ N-kanal siliciumcarbid MOSFET. Siliciumkarbid (SiC) MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med Silicon. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Høj samledstemperatur
Hurtigt skift og lav kapacitet
Maks. RDS(on) = 50 mΩ ved Vgs = 18V, ID = 66a
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 66 A 650 V, TO-247 NTHL045N065SC1
- onsemi N-Kanal 47 A 650 V TO-247 NTHL060N065SC1
- onsemi N-Kanal 75 A 650 V TO-247 NTHL027N65S3HF
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V TO-247 NTHL082N65S3F
- onsemi N-Kanal 36 A 650 V TO-247 NTHL095N65S3HF
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V TO-247 NTHL110N65S3F
- onsemi N-Kanal 46 A 650 V TO-247 NTHL065N65S3F
- onsemi N-Kanal 20 A 650 V TO-247 NTHL190N65S3HF
