onsemi N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V, 5 Ben, TO-247, NTHL
- RS-varenummer:
- 241-0744
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 97,54
(ekskl. moms)
Kr. 121,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 305 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 97,54 |
| 10 - 99 | Kr. 84,00 |
| 100 + | Kr. 72,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-0744
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
ON Semiconductor 650 V, 42 mΩ N-kanal siliciumcarbid MOSFET. Siliciumkarbid (SiC) MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med Silicon. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Høj samledstemperatur
Hurtigt skift og lav kapacitet
Maks. RDS(on) = 50 mΩ ved Vgs = 18V, ID = 66a