onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V, 5 Ben, TO-247, NTHL Nej NTHL045N065SC1
- RS-varenummer:
- 241-0744
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 93,35
(ekskl. moms)
Kr. 116,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 349 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 93,35 |
| 10 - 99 | Kr. 80,41 |
| 100 + | Kr. 69,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-0744
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NTHL | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NTHL | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
ON Semiconductor 650 V, 42 mΩ N-kanal siliciumcarbid MOSFET. Siliciumkarbid (SiC) MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med Silicon. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Høj samledstemperatur
Hurtigt skift og lav kapacitet
Maks. RDS(on) = 50 mΩ ved Vgs = 18V, ID = 66a
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V TO-247, NTHL Nej
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH Nej
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH Nej
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH Nej NVH4L040N120SC1
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH Nej NTH4L040N120SC1
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH AEC-Q101