onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V, 5 Ben, TO-247, NTHL
- RS-varenummer:
- 241-0743
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rør af 450 enheder)*
Kr. 24.338,25
(ekskl. moms)
Kr. 30.422,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 450 + | Kr. 54,085 | Kr. 24.338,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-0743
- Producentens varenummer:
- NTHL045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NTHL | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NTHL | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
ON Semiconductor 650 V, 42 mΩ N-kanal siliciumcarbid MOSFET. Siliciumkarbid (SiC) MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med Silicon. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning. Systemfordelene omfatter derfor den højeste effektivitet, hurtigere driftsfrekvens, øget effekttæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse.
Høj samledstemperatur
Hurtigt skift og lav kapacitet
Maks. RDS(on) = 50 mΩ ved Vgs = 18V, ID = 66a
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NTH
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-247, NVH
- onsemi Type N-Kanal 75 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL
- onsemi Type N-Kanal 70 A 650 V Forbedring TO-247, NTHL