onsemi N-Kanal, MOSFET, 310 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN-8, NTM
- RS-varenummer:
- 277-046
- Producentens varenummer:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, på en tape med 5)*
Kr. 50,27
(ekskl. moms)
Kr. 62,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,054 | Kr. 50,27 |
| 50 - 95 | Kr. 9,544 | Kr. 47,72 |
| 100 - 495 | Kr. 8,856 | Kr. 44,28 |
| 500 - 995 | Kr. 8,168 | Kr. 40,84 |
| 1000 + | Kr. 7,84 | Kr. 39,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-046
- Producentens varenummer:
- NTMFSC0D8N04XMTWG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 310A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN-8 | |
| Serie | NTM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.78mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 135W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS | |
| Længde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN-8 | ||
Serie NTM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.78mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 135W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS | ||
Længde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor Power MOSFET-teknologi med klassens bedste On-Resistance til motordriverapplikationer. Lavere On-Resistance og mindre gate-ladning kan reducere ledningstab og drivtab. God softness-kontrol af kropsdiodens reverse recovery kan reducere spændingsspidsbelastningen uden ekstra snubber-kredsløb i applikationen.
Ultra lav gate-ladning
Højhastighedsskift med lav kapacitans
Soft body diode reverse recovery
Ekstremt lav modstand for at minimere ledningstab
Enheden er Pb-fri og RoHS-kompatibel