onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 310 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN-8, NTM

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 44,36

(ekskl. moms)

Kr. 55,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 75 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 8,872Kr. 44,36
50 - 95Kr. 8,438Kr. 42,19
100 - 495Kr. 7,81Kr. 39,05
500 - 995Kr. 7,196Kr. 35,98
1000 +Kr. 6,912Kr. 34,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
277-046
Producentens varenummer:
NTMFSC0D8N04XMTWG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

310A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

NTM

Emballagetype

DFN-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.78mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

72nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

135W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

5.1mm

Bredde

6.15 mm

Standarder/godkendelser

Pb-Free, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH
ON Semiconductor Power MOSFET-teknologi med klassens bedste On-Resistance til motordriverapplikationer. Lavere On-Resistance og mindre gate-ladning kan reducere ledningstab og drivtab. God softness-kontrol af kropsdiodens reverse recovery kan reducere spændingsspidsbelastningen uden ekstra snubber-kredsløb i applikationen.

Ultra lav gate-ladning

Højhastighedsskift med lav kapacitans

Soft body diode reverse recovery

Ekstremt lav modstand for at minimere ledningstab

Enheden er Pb-fri og RoHS-kompatibel

Relaterede links