onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 198 A 60 V Forbedring, 10 Ben, TCPAK57, NTM
- RS-varenummer:
- 277-047
- Producentens varenummer:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 98,29
(ekskl. moms)
Kr. 122,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,658 | Kr. 98,29 |
| 50 - 95 | Kr. 18,686 | Kr. 93,43 |
| 100 - 495 | Kr. 17,294 | Kr. 86,47 |
| 500 - 995 | Kr. 15,918 | Kr. 79,59 |
| 1000 + | Kr. 15,32 | Kr. 76,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-047
- Producentens varenummer:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 198A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TCPAK57 | |
| Serie | NTM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.49mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 92.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 116W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 198A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TCPAK57 | ||
Serie NTM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.49mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 92.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 116W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor MOSFET er en effekttransistor med én N-kanal, som er klassificeret til 60 V, har en on-modstand på 1,49 mΩ og en strømkapacitet på 198 A. Den kompakte TCPAK57 5x7mm-pakke sikrer en effektiv termisk ydeevne, hvilket gør den ideel til strømstyring, motorstyring og DC-DC-konvertering.
Optimeret top cool-pakke til at sprede varmen fra toppen
Lille fodaftryk til kompakte designs
Ultra lav RDS(on) for at forbedre systemets effektivitet
Enheden er Pb-fri og RoHS-kompatibel
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 131.5 A 80 V Forbedring TCPAK10, NTM
- onsemi Type N-Kanal 310 A 40 V Forbedring DFN-8, NTM
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring DFN-5, NTM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN-5, NTM
- onsemi Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NTM
- Infineon Type N-Kanal 198 A 40 V Forbedring MX, DirectFET
- Vishay N-kanal-Kanal 198 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS