Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC Nej ISC058N04NM5ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 11.325,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.155,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 2,265Kr. 11.325,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
234-7005
Producentens varenummer:
ISC058N04NM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

63A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TDSON-8 FL

Serie

ISC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5.8mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

42W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.8mm

Højde

4.4mm

Bredde

1.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 effekttransistor N-kanals MOSFET har 40 V afløbskilde brydespænding og 63 A kontinuerlig afløbsstrøm. Dette produkt tilbyder en benchmark-løsning til anvendelser, der kræver drevkapacitet på normalt niveau (højere tærskelspænding). Den høje Vth i den normale niveauportefølje giver immunitet over for falsk tænding på grund af støjende miljøer. Desuden reducerer lavere QGD/QGS-forhold toppen af gate spændingsspidser, hvilket yderligere bidrager til robustheden mod uønsket tænding.

Batteridrevet anvendelse

LLV motordrev

Meget lav modstand ved tændt RDS(on)

100% lavine testet

175 °C samlingstemperatur

Fremragende termisk modstandsdygtighed

Lav gate-opladning

Reduktion af skiftetab

Velegnet til drift ved højere frekvenser

N-kanal

Blyfri ledningsbelægning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links