Renesas Electronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 1500 V Forbedring, 3 Ben, TO-3PN
- RS-varenummer:
- 234-7062
- Producentens varenummer:
- 2SK1835-E
- Brand:
- Renesas Electronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 234-7062
- Producentens varenummer:
- 2SK1835-E
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1500V | |
| Emballagetype | TO-3PN | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1500V | ||
Emballagetype TO-3PN | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Renesas Electronics silicium N-kanals MOSFET er velegnet til switching- og belastningskontaktanvendelser. Den har høj brydespænding på 1500 V. Den er også velegnet til skifteregulator.
Lav modstand ved tændt
Højhastighedsomskifter
Høj robusthed
Lav driftsstrøm
Ingen sekundær nedbrydning
Relaterede links
- Renesas Electronics N-Kanal 10 A 1500 V SC-65 2SK1835-E
- onsemi Type N-Kanal 8 A 1 kV Forbedring TO-3PN, QFET
- onsemi Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring TO-3PN, QFET
- onsemi Type N-Kanal 70 A 100 V Forbedring TO-3PN, QFET
- onsemi Type N-Kanal 40 A 250 V Forbedring TO-3PN, QFET
- Toshiba Type N-Kanal 9 A 900 V Forbedring TO-3PN, TK
- onsemi Type N-Kanal 69 A 250 V Forbedring TO-3PN, UniFET
- onsemi Type N-Kanal 23 A 400 V Forbedring TO-3PN, UniFET