Renesas Electronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-669

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 22.835,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.545,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 9,134Kr. 22.835,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
234-7156
Producentens varenummer:
RJK0656DPB-00#J5
Brand:
Renesas Electronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Renesas Electronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-669

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

5.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Renesas Electronics N-kanals enkelt effekt MOSFET er velegnet til switching- og belastningskontaktanvendelser. Den har en høj brydespænding på 60 V. Den er i stand til 4,5 V gate-drev.

Højhastighedsomskifter

Lav driftsstrøm

Montering med høj tæthed

Lav modstand ved tændt

Blyfri

Halogenfri

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.