Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 62 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-varenummer:
- 235-4860
- Producentens varenummer:
- IPP330P10NMAKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 830,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.037,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 450 enhed(er) afsendes fra 17. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 16,606 | Kr. 830,30 |
| 100 - 200 | Kr. 14,945 | Kr. 747,25 |
| 250 + | Kr. 14,116 | Kr. 705,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4860
- Producentens varenummer:
- IPP330P10NMAKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -189nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 15.95 mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -189nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 15.95 mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er 100 V i TO-220-pakken repræsenterer den nye teknologi, der er målrettet til batteristyring, belastningsafbryder og beskyttelse mod omvendt polaritet. Den største fordel ved en P-kanal-enhed er reduktionen af designkompleksiteten i mellem- og laveffekts-applikationer. Dens nemme interface til MCU, hurtige skift samt lavine-robusthed gør den velegnet til krævende anvendelser i høj kvalitet. Den er tilgængelig på normalt niveau med et bredt RDS-område (til) og forbedrer effektiviteten ved lave belastninger på grund af lav QG. Den bruges til batteristyring, industriel automatisering.
Velegnet til høj og lav skiftefrekvens
Lavinerobusthed
Overflademonteret hus i industristandard
Robust, pålidelig ydeevne
Øget forsyningssikkerhed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 62 A 100 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-220, IPP AEC
- Infineon Type P-Kanal -80 A 100 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 137 A 100 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 121 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 197 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 201 A 40 V Forbedring TO-220, IPP
- Infineon Type N-Kanal 113 A 40 V Forbedring TO-220, IPP