Infineon N-Kanal, MOSFET, 230 A 100 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, ISC

RS-varenummer:: 235-4862
Producentens varenummer:: ISC022N10NM6ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 230 A 100 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, ISC

Indhold (5000 enheder, på en rulle med 5000)*

Kr. 88.860,00

(ekskl. moms)

Kr. 111.075,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 15. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 17,772	Kr. 88.860,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 235-4862
Producentens varenummer:: ISC022N10NM6ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	230A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	ISC
	Emballagetype	SuperSO8 5 x 6
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	2.24mΩ
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	91nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	245W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	5.1mm
	Bredde	1.1mm
	Længde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie ISC
	Emballagetype SuperSO8 5 x 6
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 2.24mΩ
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 245W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 5.1mm
	Bredde 1.1mm
	Længde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - ISC022N10NM6ATMA1

Infineon ISC seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 230 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - ISC022N10NM6ATMA1

Denne MOSFET er en kompakt N-kanals halvlederenhed, der er designet til højstrømsomskiftning i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til strømanvendelser, der kræver en robust afløbsspænding og en betydelig kontinuerlig afløbsstrøm.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 230 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 2.24 mΩ lav RDS(on) reducerer ledningstab under drift
• 245 W maks. effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 91 nC typisk gate-ladning letter effektive skifteovergange
• 20 V gate-source-grænse sikrer kompatibilitet med almindelige drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj effekt i industrielle systemer
• Ideel til server- og telekommunikationsstrømfordelingsmoduler
• Anvendes sammen med motorstyringer, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Kan bruges til batteristyring i systemer med høj strømstyrke
• Velegnet til effekttrin i invertere og svejsestyringer

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 175 °C til en lang række termiske miljøer.

Hvilken hustype bruges til overflademontering?

Den leveres i en 8-benet SuperSO8 5 x 6 mm pakke til overflademontering til kompakte printkortlayouts.

Hvad er den fremadgående spændingskarakteristik under ledning?

Enheden udviser en fremadgående spænding på 1 V under specificerede ledningsforhold.

Hvor mange ben er tilgængelige til printkortdesign?

Pakken har en 8-benet konfiguration til at rumme port-, drain- og kildetilslutninger.

Hvilken kanalpolaritet bruger den til omskiftning?

Den anvender en N-type kanal, der er velegnet til switchingtopologier med lav side og høj side.