Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 230 A 100 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, ISC

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 20,64

(ekskl. moms)

Kr. 25,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.000 enhed(er) afsendes fra 27. august 2026
  • Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 01. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 20,64
10 - 24Kr. 19,60
25 - 49Kr. 19,15
50 - 99Kr. 17,95
100 +Kr. 16,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
235-4863
Producentens varenummer:
ISC022N10NM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

230A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

ISC

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.24mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

91nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

245W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.1mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

5.1mm

Bilindustristandarder

Nej

OptiMOSTM 6 effekt MOSFET 100 V normalniveau i SuperSO8 hus


ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 100 V i normalt niveau sætter den nye teknologistandard inden for diskrete effekt-MOSFET'er. Sammenlignet med alternative produkter muliggør Infineons førende tynde waferteknologi betydelige ydeevnefordele.

Infineons OptiMOSTM 6 industrielle effekt-MOSFET 100 V er designet til anvendelser med høj skiftefrekvens som f.eks. telekommunikation og serverstrømforsyning, men er også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solenergi, el-værktøj og droner.

I SuperSO8-huset opnår den ∼20 % forbedringer i modstand i tændt tilstand (RDS(on)) og 30 % bedre tal for fordele (FOM - RDS(on) x Qg og Qgd) sammenlignet med den tidligere teknologi OptiMOSTM 5. Dette gør det muligt for designere at øge effektiviteten, hvilket muliggør nemmere termisk design og færre paralleller, hvilket fører til en reduktion af systemomkostningerne.

Oversigt over funktioner


Sammenlignet med OptiMOSTM 5 opnår den nye teknologi:

•∼20 % lavere RDS(on)

•30 % forbedret FOMg og 40 % bedre FOMgd

•Lavere og blødere omvendt genopretningsopladning (Qrr)

•Velegnet til høj skiftefrekvens

•MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020

•175 °C sammenslutningstemperatur

•Høj mærkeværdi for lavineenergi

•Blyfri ledningsbelægning

•I overensstemmelse med RoHS

Fordele


•Lavt ledningstab

•Lavt skiftetab

•Hurtig tænding og slukning

•Færre paralleller er påkrævet

•Robust og pålidelig ydelse

•Miljøvenlig

•Færre paralleller er påkrævet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.