Infineon N-Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

RS-varenummer:: 235-4868
Producentens varenummer:: ISC060N10NM6ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 25.780,00

(ekskl. moms)

Kr. 32.225,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 5,156	Kr. 25.780,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 235-4868
Producentens varenummer:: ISC060N10NM6ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	97A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	ISC
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	6mΩ
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Effektafsættelse maks. Pd	125W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	33nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.2mm
	Længde	6.1mm
	Højde	5.35mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 97A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie ISC
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 6mΩ
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Effektafsættelse maks. Pd 125W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.2mm
	Længde 6.1mm
	Højde 5.35mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - ISC060N10NM6ATMA1

Infineon ISC seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 97 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - ISC060N10NM6ATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver med høj strømstyrke i krævende miljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig afløbsstrøm og forøget spændingsevne, mens den bruger en kompakt pakke.

Egenskaber og fordele:

• 100 V maksimal afløbsspænding muliggør højspændingsswitching
• 97 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbelastninger
• 6 mΩ maks. Rds(on) minimerer ledningstab
• 125 W maksimal effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 33 nC typisk portladning muliggør forudsigelig portdrevstørrelse
• 20 V maks. gate-source-klassificering beskytter mod overdriftshændelser

Anvendelser

• Velegnet til effektomformere med høj strømstyrke i industrielle systemer
• Ideel til synkron ensretning i koblingsforsyninger
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver robust strømkapacitet
• Kan bruges til batteristyring og strømfordeling
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den tolerere under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C.

Hvordan påvirker pakken printkortmontering og termisk routing?

TDSON-pakken til overflademontering med otte ben letter automatiseret placering og termisk forbindelse til printkortkobber for varmeafledning.

Hvilke hensyn til gate-driver er forbundet med dens gate-opladning?

Med en typisk gate-ladning på 33 nC bør designere dimensionere driverstrømmen for at opnå de krævede skiftehastigheder og samtidig håndtere skiftetab.

Hvilke elektriske grænser skal overholdes for at forhindre skader på enheden?

Enheden må ikke udsættes for gate-source-differencer over 20 V og drain-source-spændinger over 100 V.

Hvordan påvirker dens kanaltype skifteadfærd?

Som en N-kanalenhed giver den lav modstand ved tænding til high-side- eller low-side-switching, hvor der kræves lavt ledningstab.