Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 238 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, ISC
- RS-varenummer:
- 233-4395
- Producentens varenummer:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 103,22
(ekskl. moms)
Kr. 129,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 10,322 | Kr. 103,22 |
| 50 - 90 | Kr. 9,814 | Kr. 98,14 |
| 100 - 240 | Kr. 9,395 | Kr. 93,95 |
| 250 - 490 | Kr. 8,983 | Kr. 89,83 |
| 500 + | Kr. 8,363 | Kr. 83,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-4395
- Producentens varenummer:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 238A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.35mm | |
| Bredde | 1.2 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 238A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.35mm | ||
Bredde 1.2 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 6 effekt MOSFET 40 V serien har meget lav modstand RDS(on) og optimeret til synkron anvendelse.
Højere arbejdstemperatur til 175 grader C.
Fremragende termisk ydelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 238 A 40 V Forbedring TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 288 A 60 V Forbedring TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 85 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
