Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, ISC
- RS-varenummer:
- 233-4393
- Producentens varenummer:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 170,54
(ekskl. moms)
Kr. 213,175
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.930 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 34,108 | Kr. 170,54 |
| 25 - 45 | Kr. 29,336 | Kr. 146,68 |
| 50 - 120 | Kr. 27,632 | Kr. 138,16 |
| 125 - 245 | Kr. 25,582 | Kr. 127,91 |
| 250 + | Kr. 23,532 | Kr. 117,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-4393
- Producentens varenummer:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 288A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | ISC | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.89kW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 170nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.35mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 288A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie ISC | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.89kW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.35mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i SuperSO8-pakken udvider produktporteføljen på OptiMOS 5 og 3 og giver mulighed for højere effekttæthed samt forbedret robusthed, der imødekommer behovet for lavere systemomkostninger og øget ydeevne. Den har lav genvindingsladning (Qrr), som forbedrer systemets pålidelighed ved at give en betydelig reduktion af spændingsoverskridelse, hvilket minimerer behovet for snubber-kredsløb, hvilket resulterer i mindre tekniske omkostninger og besvær.
Højere arbejdstemperatur til 175 grader C.
Fremragende termisk ydelse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 288 A 60 V Forbedring TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 238 A 40 V Forbedring TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 85 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V TDSON, ISC