Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, ISC Nej ISC011N06LM5ATMA1
- RS-varenummer:
- 233-4393
- Producentens varenummer:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 165,95
(ekskl. moms)
Kr. 207,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.930 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 33,19 | Kr. 165,95 |
| 25 - 45 | Kr. 28,558 | Kr. 142,79 |
| 50 - 120 | Kr. 26,884 | Kr. 134,42 |
| 125 - 245 | Kr. 24,878 | Kr. 124,39 |
| 250 + | Kr. 22,918 | Kr. 114,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-4393
- Producentens varenummer:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 288A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 170nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.89kW | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.2 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 5.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 288A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.89kW | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.2 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 5.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i SuperSO8-pakken udvider produktporteføljen på OptiMOS 5 og 3 og giver mulighed for højere effekttæthed samt forbedret robusthed, der imødekommer behovet for lavere systemomkostninger og øget ydeevne. Den har lav genvindingsladning (Qrr), som forbedrer systemets pålidelighed ved at give en betydelig reduktion af spændingsoverskridelse, hvilket minimerer behovet for snubber-kredsløb, hvilket resulterer i mindre tekniske omkostninger og besvær.
Højere arbejdstemperatur til 175 grader C.
Fremragende termisk ydelse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 288 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ ISC011N06LM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 288 A 60 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ ISZ034N06LM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 234 A. 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC016N06NSTATMA1
- Infineon N-Kanal 64 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC065N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 47 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC094N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 135 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0702NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 57 A 60 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0703NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 240 A 60 V SuperSO8 5 x 6 DSC, OptiMOS™ BSC014N06NSSCATMA1
