Infineon N-Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, ISC

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 170,54

(ekskl. moms)

Kr. 213,17

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.930 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 34,108Kr. 170,54
25 - 45Kr. 29,336Kr. 146,68
50 - 120Kr. 27,632Kr. 138,16
125 - 245Kr. 25,582Kr. 127,91
250 +Kr. 23,532Kr. 117,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
233-4393
Producentens varenummer:
ISC011N06LM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

288A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

ISC

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

170nC

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

1.89kW

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.2mm

Højde

5.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon ISC seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 288 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - ISC011N06LM5ATMA1


Denne MOSFET er en effektomskiftertransistor, der er designet til anvendelser med høj strømstyrke og høj effekt i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til krævende elektroniske systemer, der kræver en N-kanalforbedringsenhed med robust drain-til-kilde-kapacitet og gate-spændingstolerance.

Egenskaber og fordele:


• 60 V drain-modstand muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 288 A kontinuerlig strøm understøtter kraftig belastning
• 1.15 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 1,89 kW effekttab muliggør håndtering med høj effekt
• 170 nC gate-ladning muliggør kontrolleret koblingsdynamik
• 20 V portklassificering giver mulighed for en bred portdrevmargin

Anvendelser


• Velegnet til højstrømsomformere og strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver stærk ledningsevne
• Ideel til DC-DC-trin i højeffektsystemer
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømmoduler
• Velegnet til overflademonterede effekttrin på kompakte kort

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?


Den fungerer fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i ekstreme termiske miljøer.

Hvilken monteringstype anbefales til kortmontering?


Den leveres i en TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering på printkort.

Hvor mange ben har pakken til forbindelser?


Enheden bruger en 8-benet konfiguration til at rumme port-, drain- og kildetermineringer.

Hvilken kanaltype og -tilstand bestemmer dens ledningsadfærd?


Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning til standard MOS-switching.

Hvilket fysisk fodaftryk skal designere tillade på printkortet?


Pakken måler 6,1 x 5,35 x 1,2 mm og skal tildeles et passende loddejordområde.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.