Infineon N-Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, ISC

RS-varenummer:: 233-4392
Producentens varenummer:: ISC011N06LM5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, ISC

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 51.345,00

(ekskl. moms)

Kr. 64.180,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 11. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 10,269	Kr. 51.345,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 233-4392
Producentens varenummer:: ISC011N06LM5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	288A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	ISC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.15mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	1.89kW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	170nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	1.2mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	5.35mm
	Længde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 288A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TDSON
	Serie ISC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.15mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 1.89kW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 1.2mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 5.35mm
	Længde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - ISC011N06LM5ATMA1

Infineon ISC seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 288 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - ISC011N06LM5ATMA1

Denne MOSFET er en effektomskiftertransistor, der er designet til anvendelser med høj strømstyrke og høj effekt i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt termisk område og er velegnet til krævende elektroniske systemer, der kræver en N-kanalforbedringsenhed med robust drain-til-kilde-kapacitet og gate-spændingstolerance.

Egenskaber og fordele:

• 60 V drain-modstand muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 288 A kontinuerlig strøm understøtter kraftig belastning
• 1.15 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 1,89 kW effekttab muliggør håndtering med høj effekt
• 170 nC gate-ladning muliggør kontrolleret koblingsdynamik
• 20 V portklassificering giver mulighed for en bred portdrevmargin

Anvendelser

• Velegnet til højstrømsomformere og strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver stærk ledningsevne
• Ideel til DC-DC-trin i højeffektsystemer
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømmoduler
• Velegnet til overflademonterede effekttrin på kompakte kort

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?

Den fungerer fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i ekstreme termiske miljøer.

Hvilken monteringstype anbefales til kortmontering?

Den leveres i en TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering på printkort.

Hvor mange ben har pakken til forbindelser?

Enheden bruger en 8-benet konfiguration til at rumme port-, drain- og kildetermineringer.

Hvilken kanaltype og -tilstand bestemmer dens ledningsadfærd?

Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning til standard MOS-switching.

Hvilket fysisk fodaftryk skal designere tillade på printkortet?

Pakken måler 6,1 x 5,35 x 1,2 mm og skal tildeles et passende loddejordområde.