Infineon N-Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

RS-varenummer:: 235-4870
Producentens varenummer:: ISC080N10NM6ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 26.480,00

(ekskl. moms)

Kr. 33.100,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 5,296	Kr. 26.480,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 235-4870
Producentens varenummer:: ISC080N10NM6ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	75A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	ISC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	8.05mΩ
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	100W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	24nC
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	5.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.2mm
	Længde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TDSON
	Serie ISC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 8.05mΩ
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 100W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 5.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.2mm
	Længde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - ISC080N10NM6ATMA1

Infineon ISC seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 75 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - ISC080N10NM6ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i kompakte overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig afløbsstrømkapacitet og termisk tolerance i kortmonterede effekttrin.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-klassificering muliggør robust spændingsspænding til effekttrin
• 75 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høje belastningsomskiftningskrav
• 100 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering under belastning
• 8,05 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab for effektivitetsgevinster
• 24 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig kobling
• 20 V maksimal gate-source-spænding giver gate-beskyttelsesmargin

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-konverterudgangstrin
• Ideel til synkrone ensretningsopgaver med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med motordrevne halvbroer i kompakte invertere
• Kan bruges til strømfordelingsafbrydere på kort
• Velegnet til primære eller sekundære trin i switch-mode-strømforsyning

Hvilket driftstemperaturområde kan den tåle?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i termisk krævende miljøer.

Hvilken pakke og monteringstype skal jeg planlægge?

Den leveres i en TDSON-pakke og er beregnet til overflademontering på printkortjord.

Hvilke begrænsninger er der for det fysiske fodaftryk?

Pakken måler 6,1 mm i længden, 1,2 mm i bredden og 5,35 mm i højden til layoutplanlægning.

Hvordan påvirker kravet til gate-drev switching-design?

Den typiske samlede gate-ladning på 24 nC definerer den opladningslevering, der kræves fra driveren for at opnå de ønskede skiftehastigheder.

Hvilken kanaltype og polaritet anvender den?

Den bruger en N-kanalkonfiguration, der er velegnet til low-side- eller high-side-arrangementer, hvor N-kanalenheder er påkrævet.