Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 74,05

(ekskl. moms)

Kr. 92,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.320 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 14,81Kr. 74,05
50 - 120Kr. 14,078Kr. 70,39
125 - 245Kr. 13,494Kr. 67,47
250 - 495Kr. 12,896Kr. 64,48
500 +Kr. 11,998Kr. 59,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
235-4871
Producentens varenummer:
ISC080N10NM6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

ISC

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.05mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.1mm

Bredde

1.2 mm

Højde

5.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 6 industriel effekt MOSFET 100 V er designet til anvendelser med høj switching-frekvens, som f.eks. telekommunikation og serverstrømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solenergi, el-værktøj og droner. Sammenlignet med alternative produkter giver Infineons førende tynde wafer-teknologi betydelige ydeevnefordele.

Lavere og blødere genvindingsladning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Høj lavineeffekt

I overensstemmelse med RoHS

Lavt ledningstab

Lave koblingstab

Miljøvenlig

Relaterede links