Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC
- RS-varenummer:
- 235-4871
- Producentens varenummer:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 74,05
(ekskl. moms)
Kr. 92,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.320 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,81 | Kr. 74,05 |
| 50 - 120 | Kr. 14,078 | Kr. 70,39 |
| 125 - 245 | Kr. 13,494 | Kr. 67,47 |
| 250 - 495 | Kr. 12,896 | Kr. 64,48 |
| 500 + | Kr. 11,998 | Kr. 59,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4871
- Producentens varenummer:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.05mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.35mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.05mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.35mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 6 industriel effekt MOSFET 100 V er designet til anvendelser med høj switching-frekvens, som f.eks. telekommunikation og serverstrømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solenergi, el-værktøj og droner. Sammenlignet med alternative produkter giver Infineons førende tynde wafer-teknologi betydelige ydeevnefordele.
Lavere og blødere genvindingsladning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Høj lavineeffekt
I overensstemmelse med RoHS
Lavt ledningstab
Lave koblingstab
Miljøvenlig
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 75 A 100 V TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 97 A 100 V TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 179 A 100 V TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 192 A 100 V TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 288 A 60 V Forbedring TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 238 A 40 V Forbedring TDSON, ISC
- Infineon Type N-Kanal 85 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC